Abdelkader Touhami: Modélisation du courant drain induit par la grille : Courant de fuite GIDL - Pasta blanda
2012, ISBN: 3841789560
[EAN: 9783841789563], Neubuch, [PU: Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2012], This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - En se basant sur le modèle des bandes d é… Más…
[EAN: 9783841789563], Neubuch, [PU: Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2012], This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - En se basant sur le modèle des bandes d énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. 160 pp. Französisch<
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Modélisation du courant drain induit par la grille - Pasta blanda
2012, ISBN: 9783841789563
En se basant sur le modèle des bandes d'énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du… Más…
En se basant sur le modèle des bandes d'énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. Buch (fremdspr.) Abdelkader Touhami Taschenbuch, Éditions universitaires européennes, 06.02.2012, Éditions universitaires européennes, 2012<
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2012, ISBN: 9783841789563
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Detalles del libro - Modélisation du courant drain induit par la grille
EAN (ISBN-13): 9783841789563 ISBN (ISBN-10): 3841789560 Tapa dura Tapa blanda Año de publicación: 2012 Editorial: Editions Universitaires Europeennes
Libro en la base de datos desde 2008-06-21T00:08:58+02:00 (Madrid) Página de detalles modificada por última vez el 2022-06-18T12:07:56+02:00 (Madrid) ISBN/EAN: 9783841789563
ISBN - escritura alterna: 3-8417-8956-0, 978-3-8417-8956-3 Mode alterno de escritura y términos de búsqueda relacionados: Título del libro: grill
