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Mitwirkende: Mayer, James W. Springer, Taschenbuch, Auflage: Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006, 280 Seiten, Publiziert: 2010-02-12T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Hersteller-Nr.… Más…
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Detalles del libro - Ion Implantation and Synthesis of Materials
EAN (ISBN-13): 9783642062599
ISBN (ISBN-10): 3642062598
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Tapa blanda
Año de publicación: 2010
Editorial: Springer Berlin Heidelberg
280 Páginas
Peso: 0,427 kg
Idioma: eng/Englisch
Libro en la base de datos desde 2011-05-18T00:41:30+02:00 (Madrid)
Página de detalles modificada por última vez el 2023-01-25T17:23:33+01:00 (Madrid)
ISBN/EAN: 9783642062599
ISBN - escritura alterna:
3-642-06259-8, 978-3-642-06259-9
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Autor del libro: michael nastasi, michael mayer, michael may, michael nast, james michael
Título del libro: synthesis, ion
Datos del la editorial
Autor: Michael Nastasi; James W. Mayer
Título: Ion Implantation and Synthesis of Materials
Editorial: Springer; Springer Berlin
263 Páginas
Año de publicación: 2010-02-12
Berlin; Heidelberg; DE
Impreso en
Idioma: Inglés
106,99 € (DE)
109,99 € (AT)
118,00 CHF (CH)
POD
XIV, 263 p. 131 illus.
BC; Hardcover, Softcover / Physik, Astronomie/Atomphysik, Kernphysik; Teilchen- und Hochenergiephysik; Verstehen; Diffusion; Doping; Implanted shallow junctions; Ion implantation; Ion ranges; Ion-modified materials; Slicing silicon; crystal; distribution; materials properties; materials science; Accelerator Physics; Condensed Matter Physics; Optical Materials; Characterization and Analytical Technique; Physical Chemistry; Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; Werkstoffprüfung; Physikalische Chemie; BB
Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.Presents the basics and current state of the art in the field of ion implantation-based materials physics Includes supplementary material: sn.pub/extras
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